胡振华的个人资料

1992 7月在武汉理工大学工作，1993 6月晋升讲师，1998 6月晋升副教授，学校骨干教师培训。随后，他在华中科技大学攻读博士学位，在导师的指导下从事发光半导体的研究，协助完成了国家重点基础研究项目(NoG2000.36605)，2003年获优秀论文奖，2006年6月获电子科学与技术、物理电子学博士学位。主要研究领域包括激光光谱学、非线性光学、量子光学和半导体光电子学。研究项目:国家自然科学基金项目:有源光子带隙全光开关瞬态光学特性研究(编号:60877040) (2009-2011年)(与华中科技大学合作)。发表论文:[1]，黄，。对称耦合量子阱结构吸收光学非线性的增强。Phys，2005，14(4):812-817。[2]，黄，。用shape四能级模型研究非对称耦合量子阱的非局域激子复合，物理学报，2004，53 (6): 1655。黄。非对称耦合量子阱吸收和色散的理论研究，物理学报，2005，54 (4): 1788-1793。[4]，黄，。非对称耦合量子阱中亚毫米波辐射及其带间激子复合发光特性的理论研究，物理学报，2003，52 (6): 1488-1495。[5]，黄，。半导体光放大器的非简并四波混频理论，光学学报，2004，24(8):1602-1607[6 2003，23(8):897-901 .[7]胡振华，黄，，高。用瞬态非相干光谱测量两个子价带间弛豫时间的理论分析，Spie学报，2002，4905: 608-611。[8]，黄，，高，.泵浦探测技术中受激量子拍的理论研究。光子学学报，2003，32 (5): 576。黄。非相干四波混频中V型三能级原子布居弛豫量子拍的理论研究，光子学报，2002，31(4):407-411。[10]，陈军，苗清源，黄。2002,31 (5): 520-525.胡振华。真空中V型三能级原子的布居弛豫和量子相干自发辐射。光子学报，2000，29 (5): 396-401。激光，1997，8 (6): 421-425。胡振华，费浩生，李磊。CdsXE1-X半导体微晶中激子弛豫过程的动力学研究。光电子？激光，1997，8 (6): 426-430。胡振华。计算量子拍信号强度的新方法，发光学报，1997，18 (3): 195-。李雷。非线性纳米材料CdSxSe1-x最低激子态的纵向弛豫过程，量子电子学学报，198，15 (1): 147。苗清源，胡振华，王涛。2003,27 (4): 288-292.[17]，黄，。SOA的双折射效应对超短光脉冲光谱特性的影响。光电？激光，2003，14(11):1164-165。[18]苗庆宇，黄，李，李..从测量的放大自发发射光谱得到的增益和载流子引起的折射率变化的宽光谱特性。光学应用学报:2005，35 (2): 377-382 [19]，李，，黄永珍，黄.抗反射膜设计改善半导体光放大器偏振不敏感性的理论研究。中国激光，2003，30 (7): 633-636。刘德明，陈军，胡振华，刘小英。用传输矩阵法分析带取样光栅的DBR半导体激光器。红外与激光工程，2005，34 (4): 415-220。[21]高，黄，高，，。黄黎蓉。用传输矩阵法分析取样光栅半导体激光器的调谐特性。应用激光，2004，25 (5): 285-288。[22]费鸿生，韩力，胡志宏，魏志清，杨海平，肖大林，杨明辉，周国通..C60苯溶液的非线性光学性质研究。固态设备材料。公共图书馆。按商业中心。为了Acad。社会主义者日本，日本，1992: 232-233。