李志坚简历。

1951毕业于浙江大学物理系。

1958年在苏联列宁格勒大学获得物理学-数学副博士学位。清华大学教授。

50年代初，在半导体薄膜的光电导和光电机理研究中，提出了电子晶界理论，研制出高信噪比的PbS红外探测器。

超高纯多晶硅从65438发展到0959。

20世纪60年代从事硅器件的研究，其中平面硅技术和高频硅三极管的成就推动了我国的相关研究和生产。

1977后主要从事大规模和超大规模集成技术和器件物理的研究，领导、指导和直接参与了静态存储器、8位、16位高速微处理器、EEPROM、1兆汉字ROM等各种超大规模集成电路芯片的研制，并取得了成功。同时开发了3微米和1微米的成套工艺技术。

引导和发明半导体红外高速退火技术和设备。最近的研究包括:系统芯片集成和微机电技术。1991当选中国科学院院士。

2011死于5月2日凌晨。