中国早期半导体硅的奠基人梁院士逝世(简历)

6月24日，中科院半导体所发布讣告:中国工程院院士、中科院半导体所研究员、我国著名半导体材料科学家梁先生，因病医治无效，于2022年6月23日17在京逝世，享年89岁。

梁院士，1933年9月出生于湖北武汉，1997年6月当选中国工程院院士。先后获得国家科委科技成果二等奖、新产品二等奖1次，国家科技进步三等奖1次，中科院重大成果和科技进步一等奖3次、二等奖4次，上海市科技进步二等奖1次等。超过20次。

梁院士从事半导体材料科学研究60余年，是中国早期半导体硅的奠基人。60年代解决了高纯区熔硅的关键技术。1964制备了室温激光器用GaAs液相外延材料。1979年，成功研制出适用于大规模集成电路的无位错、无涡旋、低微缺陷、低碳、氧含量可控的优质硅区熔单晶；20世纪80年代，掺氮中子首次用于嬗变硅单晶，解决了硅片的完整性和均匀性问题。90年代初，我们研究了MOCVD生长超晶格量子阱材料，将中国超晶格量子阱材料在晶体完整性、电学性质和超晶格结构控制等方面提升到实用化水平。他还在太阳能电池用多晶硅的研究和产业化方面发挥了积极作用。